伴隨著Daydream的到來，移動VR漸入佳境，正有條不紊的沿著一條正確的道路向前邁進。不過，還有幾個難題在嚴重桎梏著它的發展，比如運算性能、比如功耗控製。而且這些難題顯然不是VR公司能夠解決的，這還得需要上遊芯片廠商從源頭改進。

現在好消息終於來了，樂觀點估計，明年的移動VR不僅性能更強，功耗控製的更好，同時“充電5分鍾體驗2小時”這種此前想都不敢想的事情，或許也能實現。

昨天晚上，高通正式公布了全新旗艦款處理器驍龍835，其將采用三星10nm LPE（low-power early，早起低功耗版本）FinFET工藝，相較於14nm FinFET工藝的驍龍820/821，在體積方麵將縮小30%以上，功耗降低40%的情況下，性能提升27%。製程工藝從此由14nm邁入嶄新的10nm時代，這是一個相當不錯的開始。

高通正式宣布新旗艦驍龍835事實上，就智能手機而言，主流處理器的性能足以滿足絕大部分使用需求，甚至可以說過剩，比如說我們自己或者總有些朋友還在使用搭載驍龍805或者810這些型號處理器的手機產品，但完全是夠用的。這跟Intel或者AMD的主流桌麵級處理器的狀態很相似，運算性能早已不是大問題。不過，在移動VR興起之後，對處理器的運算性能提出了更高的要求，也讓像高通這樣的上遊芯片廠商有足夠的動力去研發更優秀的產品。更強的運算性能意味著可以運行更複雜的遊戲或者應用，更好的功耗控製則預示著更長的續航時間和更好的發熱控製。

當然，高通驍龍835帶給移動VR的變革還不僅於此，別忘了，還有最新的快速充電技術——QC（Quick Charge）4.0。

按照高通官方的說法，QC 4.0加入了Dual Charge技術，相比QC 3.0來說，充電速度可提升20%，效率則能提升30%。高通產品管理高級副總裁Alex Katouzian也表示，QC 4.0能在大約15分鍾或更短時間內，充入高達50%的電池電量。不僅如此，QC 4.0還加入了最佳電壓智能協商電源管理算法(INOV)，能夠在既定的散熱條件下，自主確定並選擇最佳的電力傳輸水平，從而優化充電。

另一方麵，QC 4.0能在更準確地測量電壓、電流和溫度的同時，保護電池、係統、線纜和連接器。防止電池過度充電，並在每個充電周期調節電流。

為了配合QC 4.0，高通還推出了最新的電源管理芯片SMB1380和SMB1381。SMB1380和SMB1381具有低阻抗、高達95%的峰值效率和先進的快充特性(例如電池差分感知)，可經由任何5V USB Type-C或高壓電源通過高度不到0.8毫米的充電解決方案組合，為超薄的移動終端提供最快的電池充電。更好的消息在於，SMB1380/1381電源管理芯片預計在今年年底之前就開始提供。

高通並沒有公布更多驍龍835處理器的細節，但卻表示，目前這款處理器已經投入生產，預計將會在2017年上半年正式上市。不出意外的話，驍龍835將會成為明年上半年Android旗艦手機的標配。至於哪家廠商能夠拔得頭籌，或許不久之後的CES以及MWC上就能有點眉目。當然，我們更關注哪家VR一體機廠商會率先推出基於高通驍龍835解決方案的新品。

高通新旗艦驍龍835處理器

對於手機而言，“充電5分鍾，通話2小時”這句耳熟能詳的廣告詞，在明年可能會升級成“充電5分鍾，通話5小時”。而對於移動VR來說，充電5分鍾體驗2小時，也將邁出從“完全不可能”到“很有可能”的重要一步。

最後，簡單總結一下，高通全新驍龍835處理器會給移動VR帶來的變革。

1、更強的運算性能，更多大型複雜場景的內容將出現在移動VR上麵，移動VR和PC VR/主機VR在體驗上的差距將被拉近;

2、更好的功耗控製，不管是續航問題，還是發熱問題，都能得到更好的解決(對VR一體機而言，沒準被動式散熱方案會全麵取代主動式散熱方案);

3、更高效的充電，這意味著不用過分擔心因為體驗VR而讓手機迅速掉電，從而導致暫時無法使用的尷尬，對於VR一體機來說，將在很大程度上緩解充電等待時間過長的問題;

4、其他方麵的驚喜，或許還會有基於VR的更多優化，我們不妨耐心等待高通公布更多的細節。